第三百八十四章 MOCVD(2/3)
在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术
该设备以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料
上面说的有些复杂
简单来理解的话，就是通过这台设备，可以将有机化合物和氢化物，合称为实验室所需的GaN宽禁带半导体
这是一台生长宽禁带半导体的仪器
顾律在国外见过这种设备
不过国内和国外的系统是有些区别的
因为系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性，所以国内和国外系统的主要区别在于反应室结构
在国外，反应室结构大多采用‘反应’，而国内则是采用‘行星反应’
两者各有其优劣，说不上谁更好
但呈现在顾律面前的这台，虽然使用的仍旧是国内的行星反应室结构，但在设备的其他组成系统上，应该进行了深层次的优化
顾律只是简单的上下打量了这台设备一眼，就得出一个这样的结论
“张主任，你们的这台设备应该进行了一定程度的改装吧，根据我的推测，这台不止最多可以同时生长两片1.5英寸的GaN宽禁带半导体？”顾律说出自己的猜测
张主任竖起大拇指
“你说的没错”张主任拍拍设备，语气略带得意的开口，“这台设备买回来后，我就让隔壁机械学院的几位朋友改装了一下”
“你看着，在这块源供给系统部分，我们加了一个恒温器，可以保证金属化合物一个衡定的蒸气压”张主任指着仪器前端的加装上去的一个恒温器为顾律介绍
“还有这”张主任把顾律领到的背面，“这块是气体运输系统，原本这里是只有一条管道的”
“但是我们又增加了一条，这样的话，可以迅速变化反应室内的反应气体，并且还不会引起反应室内压力的变化！”
张主任为顾律详细的介绍了这台设备的改